[发明专利]铟镧钛氧化物透明导电薄膜无效
| 申请号： | 201010106868.1 | 申请日： | 2010-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101752027A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘星元;刘晓新;王宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B1/08 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 赵炳仁 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铟镧钛 氧化物 透明 导电 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种铟镧钛氧化物透明导电薄膜，其特征在于是在In2O3基体中掺杂La和Ti元素所构成的In-La-Ti-O氧化物，其中Ti与In的质量比为0.002∶1至0.3∶1，La和Ti的质量和与In的质量比为0.005∶1至0.4∶1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，未经中国科学院长春光学精密机械与物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010106868.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种预湿擦拭布制作方法
- 下一篇：大容量快速图像拼接方法
