[发明专利]立式热处理装置用的构成构件、立式热处理装置及保温筒无效
| 申请号： | 201010106498.1 | 申请日： | 2010-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101800162A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 石井胜利;石田义弘;原田豪繁;古屋治彦 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/316;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种立式热处理装置用的构成构件、立式热处理装置及保温筒。用于通过堆积方式形成由金属氧化物构成的高电介质膜的立式热处理装置包括：反应容器，构成为以使多个被处理基板上下设有间隔地层叠的状态收纳该多个被处理基板；支承构件，用于在反应容器内支承被处理基板；加热器，用于对反应容器内的被处理基板进行加热；排气系统，用于对反应容器内进行排气；以及气体供给系统，用于对反应容器内供给金属源气体和氧化气体，气体供给系统包括配设在反应容器内的气体喷嘴，气体喷嘴由以钛为主要成分的金属构成。 | ||
| 搜索关键词： | 立式 热处理 装置 构成 构件 保温 | ||
【主权项】：
一种立式热处理装置，其用于通过堆积方式形成由金属氧化物构成的高电介质膜，其包括：反应容器，构成为以使多个被处理基板上下设有间隔地层叠的状态收纳该多个被处理基板；支承构件，用于在上述反应容器内支承上述被处理基板；加热器，用于对上述反应容器内的上述被处理基板进行加热；排气系统，用于对上述反应容器内进行排气；以及气体供给系统，用于对上述反应容器内供给金属源气体和氧化气体，上述气体供给系统包括配设在上述反应容器内的气体喷嘴，上述气体喷嘴由以钛为主要成分的金属构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
