[发明专利]立式热处理装置用的构成构件、立式热处理装置及保温筒无效
申请号: | 201010106498.1 | 申请日: | 2010-01-26 |
公开(公告)号: | CN101800162A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 石井胜利;石田义弘;原田豪繁;古屋治彦 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/316;H01L21/285 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 立式 热处理 装置 构成 构件 保温 | ||
1.一种立式热处理装置,其用于通过堆积方式形成由金属氧化物构成的高电介质膜,其包括:
反应容器,构成为以使多个被处理基板上下设有间隔地层叠的状态收纳该多个被处理基板;
支承构件,用于在上述反应容器内支承上述被处理基板;
加热器,用于对上述反应容器内的上述被处理基板进行加热;
排气系统,用于对上述反应容器内进行排气;
以及气体供给系统,用于对上述反应容器内供给金属源气体和氧化气体,
上述气体供给系统包括配设在上述反应容器内的气体喷嘴,上述气体喷嘴由以钛为主要成分的金属构成。
2.根据权利要求1所述的立式热处理装置,其中,
上述支承构件包括支柱,上述支柱由以钛为主要成分的金属构成。
3.根据权利要求1所述的立式热处理装置,其中,
上述立式热处理装置还具有配设在上述反应容器内且包覆温度检测构件的保护管,上述保护管由以钛为主要成分的金属构成。
4.根据权利要求1所述的立式热处理装置,其中,
上述加热器配设在上述反应容器的周围,上述反应容器由石英或碳化硅构成,来自上述加热器的辐射能量能透过上述反应容器。
5.根据权利要求1所述的立式热处理装置,其中,
上述以钛为主要成分的金属的钛的含量为70重量%以上。
6.根据权利要求5所述的立式热处理装置,其中,
上述以钛为主要成分的金属的线热膨胀系数为上述高电介质膜的上述金属氧化物的线热膨胀系数的-10%~+25%。
7.根据权利要求6所述的立式热处理装置,其中,
上述高电介质膜的上述金属氧化物从由铝氧化物、锆氧化物、铪氧化物和钛氧化物构成的组中选择。
8.根据权利要求6所述的立式热处理装置,其中,
上述以钛为主要成分的金属是含有铝的钛合金。
9.根据权利要求1所述的立式热处理装置,其中,
上述气体喷嘴的表面由通过氧化该表面而形成的钝态膜所覆盖。
10.根据权利要求1所述的立式热处理装置,其中,
上述气体喷嘴是具有多个气体喷射孔的气体分散喷嘴,该多个气体喷射孔是以涵盖上述支承构件上的所有上述被处理基板的方式隔开间隔地形成的。
11.一种立式热处理装置用的构成构件,该立式热处理装置用于利用加热器对以使多个被处理基板上下设有间隔地层叠的状态收纳该多个被处理基板的反应容器进行加热,并且对上述反应容器内供给金属源气体和氧化气体,在上述被处理基板上堆积形成由金属氧化物构成的高电介质膜,其中,
上述构成构件配设在上述反应容器内且由以钛为主要成分的金属构成。
12.根据权利要求11所述的立式热处理装置用的构成构件,其中,
上述以钛为主要成分的金属的钛的含量为70重量%以上。
13.根据权利要求12所述的立式热处理装置用的构成构件,其中,
上述以钛为主要成分的金属的线热膨胀系数为上述高电介质膜的上述金属氧化物的线热膨胀系数的-10%~+25%。
14.根据权利要求13所述的立式热处理装置用的构成构件,其中,
上述高电介质膜的上述金属氧化物从由铝氧化物、锆氧化物、铪氧化物和钛氧化物构成的组中选择。
15.根据权利要求13所述的立式热处理装置用的构成构件,其中,
上述以钛为主要成分的金属是含有铝的钛合金。
16.根据权利要求11所述的立式热处理装置用的构成构件,其中,
上述加热器配设在上述反应容器的周围,上述反应容器由石英或碳化硅构成,来自上述加热器的辐射能量能透过上述反应容器。
17.根据权利要求11所述的立式热处理装置用的构成构件,其中,
上述构成构件的表面由通过氧化该表面而形成的钝态膜所覆盖。
18.根据权利要求11所述的立式热处理装置用的构成构件,其中,
上述构成构件是从由气体喷嘴、用于支承上述被处理基板的支承构件的支柱、用于包覆温度检测构件的保护管构成的组中选择的构件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造