[发明专利]CMOS图像传感器的局部互连结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201010104918.2 | 申请日： | 2005-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101777512A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 霍华德·E·罗德斯 | 申请（专利权）人： | 豪威科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/146;H01L23/528 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 戴建波 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种CMOS图像传感器的局部互连结构及其形成方法，其采用自定位硅化物处理工艺而形成与常规的CMOS图像传感器处理流程一致的CMOS图像传感器局部互连结构。其中，在该图像传感器的像素阵列上沉积氧化物层；去除部分氧化物层并沉积金属层；对金属层进行退火处理，形成金属硅化物。同时，还可进一步沉积保护绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 局部 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种在硅基体像素上形成局部互连结构的方法，该像素包括至少一门电路结构，所述的方法包括：在所述像素上沉积氧化物层；去除部分所述的氧化物层，以暴露该至少一门电路结构和一部分所述的硅基体；在所述氧化物层上、所述的至少一门电路结构上以及所述的一部分所述半导体基体上沉积金属层；通过对所述金属层进行退火处理，形成金属硅化物，该金属硅化物形成在所述金属层与所述硅基体的接触处以及所述金属层与所述至少一门电路结构的接触处；以及在所述至少一门电路结构的侧壁上留下金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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