[发明专利]CMOS图像传感器的局部互连结构及其形成方法

权利要求书

1.一种在硅基体像素上形成局部互连结构的方法，该像素包括至少一门电路结构，所述的方法包括：

在所述像素上沉积氧化物层；

去除部分所述的氧化物层，以暴露该至少一门电路结构和一部分所述的硅基体；

在所述氧化物层上、所述的至少一门电路结构上以及所述的一部分所述硅基体上沉积金属层； 

通过对所述金属层进行退火处理，形成金属硅化物，该金属硅化物形成在所述金属层与所述硅基体的接触处以及所述金属层与所述至少一门电路结构的接触处；以及

在所述至少一门电路结构的侧壁上留下金属层。

2.如权利要求1所述的方法，其进一步包括去除不在所述至少一门电路结构的侧壁上金属层的步骤。

3.如权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述至少一门电路结构的侧壁上金属层上沉积保护绝缘层的步骤。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述的金属层是由钴、镍、钛、钼、钽或钨形成的，或者是由上述金属的合金形成的。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述的金属层为一包括至少一金属层的叠层结构。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述的叠层结构为金属/金属氮化物的叠层。