[发明专利]制造具有掩埋栅极的半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201010103836.6 | 申请日： | 2010-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN102044495A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 林志玟;黄京镐 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法包括：提供包括单元区域和周边区域的衬底；在周边区域中的衬底上选择性地形成栅极导电层，在其上形成有栅极导电层的衬底上形成密封层，在密封层上形成绝缘层以覆盖衬底上形成有栅极导电层的衬底，平坦化绝缘层以暴露在栅极导电层上形成的密封层，和在单元区域中形成多个塞，所述多个塞穿透绝缘层和密封层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 掩埋 栅极 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：提供包括单元区域和周边区域的衬底；在所述周边区域中的所述衬底上选择性地形成栅极导电层；在其上形成有所述栅极导电层的所述衬底上形成密封层；在所述密封层上形成绝缘层以覆盖在其上形成有所述栅极导电层的所述衬底；平坦化所述绝缘层以暴露出在所述栅极导电层上形成的所述密封层；和在所述单元区域中形成多个塞，所述多个塞穿透所述绝缘层和所述密封层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
