[发明专利]薄膜晶体管和显示装置有效
| 申请号： | 201010103189.9 | 申请日： | 2010-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN101794821A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 诸沢成浩;藤森隆成 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51;H01L27/32;H01L21/82;H01L21/34;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供薄膜晶体管和显示装置。该薄膜晶体管包括：形成在基板上的栅电极；形成有对应于所述栅电极的沟道区的氧化物半导体层；第一栅绝缘膜，所述第一栅绝缘膜被形成在所述基板和所述栅电极上，且由氮化硅膜构成；第二栅绝缘膜，所述第二栅绝缘膜被选择性地形成在所述第一栅绝缘膜上对应于所述氧化物半导体层的区域内并与所述氧化物半导体层接触，并且所述第二栅绝缘膜由氧化硅膜或氧氮化硅膜构成；源漏电极；以及保护膜。所述氧化物半导体层的上表面和侧面以及所述第二栅绝缘膜的侧面在所述第一栅绝缘膜上被所述源漏电极和所述保护膜覆盖着。本发明能够抑制氧化物半导体层中晶格缺陷的形成并抑制湿气的进入，从而提高薄膜晶体管的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其包括：栅电极，所述栅电极被形成在基板上；氧化物半导体层，所述氧化物半导体层中形成有对应于所述栅电极的沟道区；第一栅绝缘膜，所述第一栅绝缘膜被形成在所述基板和所述栅电极上，且由氮化硅膜构成；第二栅绝缘膜，所述第二栅绝缘膜被选择性地形成在所述第一栅绝缘膜上对应于所述氧化物半导体层的区域内并与所述氧化物半导体层接触，并且所述第二栅绝缘膜由氧化硅膜或氧氮化硅膜构成；源漏电极；以及保护膜，其中，所述氧化物半导体层的上表面和侧面及所述第二栅绝缘膜的侧面在所述第一栅绝缘膜上被所述源漏电极和所述保护膜覆盖着。
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