[发明专利]薄膜晶体管和显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其包括：

栅电极，所述栅电极被形成在基板上；

氧化物半导体层，所述氧化物半导体层中形成有对应于所述栅电极 的沟道区；

第一栅绝缘膜，所述第一栅绝缘膜被形成在所述基板和所述栅电极 上，且由氮化硅膜构成；

第二栅绝缘膜，所述第二栅绝缘膜被选择性地形成在所述第一栅绝 缘膜上对应于所述氧化物半导体层的区域内并与所述氧化物半导体层接 触，并且所述第二栅绝缘膜由氧化硅膜或氧氮化硅膜构成；

源漏电极；以及

保护膜，

其中，所述氧化物半导体层的上表面和侧面及所述第二栅绝缘膜的 侧面在所述第一栅绝缘膜上被所述源漏电极和所述保护膜覆盖着，所述 保护膜包含氧化铝或氮化硅。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述保护膜是至少包括 由氧化铝膜和氮化硅膜之一构成的一层的层叠膜。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述保护膜是至少在对 应于所述沟道区的区域中所设置的沟道保护膜。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述保护膜是被形成得 覆盖住所述薄膜晶体管的整个最外层表面的钝化膜。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，

所述源漏电极是包括多层金属层的层叠结构，并且

所述多层金属层中与所述氧化物半导体层接触的那个金属层包括含 有氧的金属材料。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，

所述源漏电极是包括多层金属层的层叠结构，并且

所述多层金属层中与所述氧化物半导体层接触的那个金属层含有 钼。

7.一种显示装置，其包括显示元件和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管 用于驱动所述显示元件，所述薄膜晶体管是权利要求1～6中任一项所述 的薄膜晶体管。

8.如权利要求7所述的显示装置，其中，所述显示元件为有机发光 元件，所述有机发光元件具有阳极、包含发光层的有机层以及阴极。