[发明专利]一种MOS场效应晶体管有效
| 申请号： | 201010102696.0 | 申请日： | 2010-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102142458A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 陈大鹏;梁擎擎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种MOS场效应晶体管，包括：衬底；形成在所述衬底中的源极和漏极；和形成在所述衬底之上且位于所述源极和所述漏极之间的栅堆叠，其中，栅介质层采用可变K值介质材料。本发明实施例将可变K值介质材料运用于CMOS器件的栅介质层，通过动态地获得高K值的方法增加栅电容，提高CMOS器件控制短沟道效应能力和开关速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种MOS场效应晶体管MOSFET，其特征在于，包括：衬底；形成在所述衬底中的源极和漏极；和形成在所述衬底之上且位于所述源极和所述漏极之间的栅堆叠，其中，所述栅堆叠中的栅介质层采用可变K值介质材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010102696.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于通用协议解析的参数获取和通用协议解析方法及装置
- 下一篇：检票方法及设备
- 同类专利
- 专利分类
