[发明专利]一种MOS场效应晶体管有效
| 申请号： | 201010102696.0 | 申请日： | 2010-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN102142458A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 陈大鹏;梁擎擎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mos 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种MOS场效应晶体管MOSFET，其特征在于，包括：
衬底；
形成在所述衬底中的源极和漏极；和
形成在所述衬底之上且位于所述源极和所述漏极之间的栅堆叠，其中，所述栅堆叠中的栅介质层采用可变K值介质材料。
2.如权利要求1所述的MOSFET结构，其特征在于，所述栅介质层至少包括一层所述可变K值介质材料。
3.如权利要求1所述的MOSFET结构，其特征在于，所述可变K值介质材料为相对介电常数具有随外加电场变化的非线性效应的介质材料。
4.如权利要求3所述的MOSFET结构，其特征在于，所述可变K值介质材料为具备高介电常数变化率、高极化速度、高耐击穿电压特性的钙钛矿结构的铁电材料。
5.如权利要求3所述的MOSFET结构，其特征在于，利用所述可变K值介质材料的所述非线性效应，通过改变产生外加电场的电压，改变栅极与所述漏极或源极之间的电容。
6.如权利要求5所述的MOSFET结构，其特征在于，所述电容分别正比于施加于所述栅极与所述漏极或源极之间的电压。
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