[发明专利]半导体器件上的电阻及其制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件上的电阻，所述半导体器件上设置有多晶硅栅极结构，所述多晶硅栅极结构包括位于下层的多晶硅层和位于上层的WSI层，所述电阻包括位于下层的电阻本体和位于上层的端部电极，所述电阻本体为与栅极结构中多晶硅层位于同一层面的多晶硅，所述端部电极为与栅极结构中WSI层位于同一层面的WSI，所述电阻的周围还设置有起隔离作用的侧墙，所述端部电极向上通过接触孔被引出。本发明还公开了上述电阻的制作方法，在多晶硅栅极结构制作的同步制作电阻。本发明将多晶硅栅极结构的制作和电阻的制作整合在一起，简化了半导体器件上电阻的制作工艺，降低了生产成本，提高了生产效率，并且还能够提高电阻的性能。

主权项

一种半导体器件上的电阻，所述半导体器件上设置有多晶硅栅极结构，所述多晶硅栅极结构包括位于下层的多晶硅层和位于上层的WSI层，所述多晶硅层和WSI层的两侧还设置有侧墙，其特征在于，所述电阻包括位于下层的电阻本体和位于上层的端部电极，所述电阻本体为与所述多晶硅栅极结构中多晶硅层位于同一层面的多晶硅，所述端部电极为与所述多晶硅栅极结构中WSI层位于同一层面的WSI，所述电阻的周围还设置有起隔离作用的侧墙，所述端部电极向上通过接触孔被引出。