[发明专利]半导体器件上的电阻及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件上的电阻，所述半导体器件上设置有多晶硅栅极结构，所述多晶硅栅极结构包括位于下层的多晶硅层和位于上层的WSI层，所述多晶硅层和WSI层的两侧还设置有侧墙，其特征在于，所述电阻包括位于下层的电阻本体和位于上层的端部电极，所述电阻本体为与所述多晶硅栅极结构中多晶硅层位于同一层面的多晶硅，所述端部电极为与所述多晶硅栅极结构中WSI层位于同一层面的WSI，所述电阻的周围还设置有起隔离作用的侧墙，所述端部电极向上通过接触孔被引出。

2.根据权利要求1所述的半导体器件上的电阻，其特征在于，所述接触孔的底部填充有WSI。

3.一种如权利要求1或2所述的半导体器件上的电阻的制作方法，其特征在于，先在半导体器件上先后淀积一层多晶硅和一层WSI，对这层多晶硅和WSI进行光刻和刻蚀得到所述多晶硅栅极结构中的下层多晶硅层和上层WSI层，以及电阻本体多晶硅和位于端部电极一层的WSI；然后制作多晶硅栅极结构的侧墙和电阻的侧墙，再对电阻上层的WSI进行光刻和刻蚀，得到电阻的端部电极，并且对端部电极进行掺杂，最后制作接触孔，将端部电极引出。

4.根据权利要求3所述的半导体器件上的电阻的制作方法，其特征在于，在制作接触孔的时候，在接触孔的底部填充WSI。