[发明专利]一种增强非晶硅薄膜光吸收的方法无效
| 申请号： | 201010039664.0 | 申请日： | 2010-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101764182A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 李东升;汪雷;周冰;杨德仁 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增强非晶硅薄膜光吸收的方法，包括以下步骤：1)在清洗后的衬底上制备非晶硅薄膜；2)在非晶硅薄膜表面沉积一层银膜；3)表面沉积银膜的非晶硅薄膜经过热处理，得到银岛膜结构。本发明使用的设备与现行成熟工艺兼容，方法简单可控，制备出的银岛膜对非晶硅薄膜光吸收的增强方式简单，可用于增加非晶硅太阳电池转换效率，以及增强相关LED发光等方面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 非晶硅 薄膜 光吸收 方法 | ||
【主权项】：
一种增强非晶硅薄膜光吸收的方法，包括以下步骤：1)利用等离子化学气相沉积法在清洗后的衬底上沉积非晶硅薄膜；2)采用电子束蒸发法在非晶硅薄膜表面生长银膜；3)表面沉积银膜的非晶硅薄膜经过热处理，得到银岛膜结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
