[发明专利]一种增强非晶硅薄膜光吸收的方法

权利要求书

1.一种增强非晶硅薄膜光吸收的方法，包括以下步骤：

1)利用等离子化学气相沉积法在清洗后的衬底上沉积非晶硅薄膜；

2)采用电子束蒸发法在非晶硅薄膜表面生长银膜；

3)表面沉积银膜的非晶硅薄膜经过热处理，得到银岛膜结构；

步骤2)采用电子束蒸发法在非晶硅薄膜表面生长银膜的方法为：将覆有非晶硅薄膜的衬底放入电子束蒸发设备的反应室中，反应室真空度抽至5×10^-3Pa以下，衬底温度为100℃～300℃，在非晶硅薄膜表面沉积一层银膜，银颗粒径向尺寸为10nm～300nm；

步骤3)中热处理温度为100℃～400℃，退火时升温速率为1-20℃/min。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤1)利用等离子化学气相沉积法在清洗后的衬底上沉积非晶硅薄膜的方法为：将清洗后的衬底放入等离子化学气相沉积设备的反应室中，先将真空度抽至5×10^-4Pa以下，然后通入硅烷，在薄膜沉积过程中，衬底温度150℃～350℃。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：清洗衬底的方法为：用去离子水、酒精和丙酮依次分别超声清洗；然后用去离子水充分漂洗后晾干。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤3)中，所述的热处理温度为200℃～400℃。