[发明专利]用于金属有机物化学沉积设备的气路装置有效
| 申请号： | 201010033967.1 | 申请日： | 2010-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN101812671A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 冉军学;王晓亮;胡国新;肖红领;张露;殷海波;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C16/18 | 分类号： | C23C16/18;C23C16/455 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于金属有机物化学沉积(MOCVD)设备的气路装置，其包括：气体入口；从所述气体入口引出的并行布置的多组气路，每一组气路包括并行布置的第一子气路和第二子气路，第一子气路和第二子气路中的每一个都能够选择性地与生长室连通和与排空通道连通。其中：气体通过一组气路时，气体选择性地流过该组气路中第一子气路和第二子气路中的一个；且第一子气路上设置有第一流量计，第二子气路上设置有第二流量计，所述第一流量计的最大量程大于第二流量计的最大量程。本发明通过大量程和小量程流量计及相应的气路切换的设计，在一台MOCVD设备中实现气体由大流量到小流量的精确控制，从而实现不同工艺条件下的高质量的材料外延生长。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属 有机物 化学 沉积 设备 装置 | ||
【主权项】：
一种用于金属有机物化学沉积设备的气路装置，包括：气体入口；从所述入口引出的并行布置的多组气路，每一组气路包括并行布置的第一子气路和第二子气路，第一子气路和第二子气路中的每一个都能够选择性地与生长室连通和与排空通道连通，其特征在于：气体通过一组气路时，气体选择性地流过该组气路中第一子气路和第二子气路中的一个；且第一子气路上设置有第一流量计，第二子气路上设置有第二流量计，所述第一流量计的最大量程大于第二流量计的最大量程。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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