[发明专利]电场辅助磁存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010033877.2 | 申请日： | 2010-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN101814295A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李峥;南策文;张毅;林元华 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 张磊 |
| 地址： | 100084 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电场辅助磁存储器件，所述电场辅助磁存储器件具有多层复合薄膜结构，包括：底电极层；铁电氧化物层；磁性记录层；保护层；工作电压发生装置，所述工作电压发生装置在写入时通过所述底电极层和磁性记录层对所述铁电氧化物层施加电场。此外，本发明还提供一种所述电场辅助磁存储器件的制造方法。采用本发明的设备和方法，能够在写入时利用所施加的电场来降低磁矫顽场的大小，从而更方便写入，保证数据的安全性，同时降低能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 电场 辅助 磁存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电场辅助磁存储器件，所述电场辅助磁存储器件具有多层复合薄膜结构，包括：底电极层；铁电氧化物层，所述铁电氧化物层形成在所述底电极层上；磁性记录层，所述磁性记录层设置在所述铁电氧化物层上，用于进行磁性记录，所述铁电氧化物层与磁性记录层之间具有磁电效应的耦合作用；保护层，所述保护层设置在所述磁性记录层上，以保护所述磁性记录层；以及工作电压发生装置，所述工作电压发生装置在写入时通过所述底电极层和磁性记录层对所述铁电氧化物层施加电场。
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