[发明专利]电场辅助磁存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种电场辅助磁存储器件，所述电场辅助磁存储器件具有多 层复合薄膜结构，包括：

底电极层；

铁电氧化物层，所述铁电氧化物层形成在所述底电极层上；

磁性记录层，所述磁性记录层设置在所述铁电氧化物层上，用于 进行磁性记录，所述铁电氧化物层与磁性记录层之间具有磁电效应的 耦合作用；

保护层，所述保护层设置在所述磁性记录层上，以保护所述磁性 记录层；以及

工作电压发生装置，所述工作电压发生装置在写入时通过所述底 电极层和磁性记录层对所述铁电氧化物层施加电场。

2.根据权利要求1所述的电场辅助磁存储器件，其中所述铁电 氧化物层由钛酸钡(BaTiO₃)、钛酸铅(PbTiO₃)或锆钛酸铅 (Pb(Zr，Ti)O₃)中的一种材料形成。

3.根据权利要求1所述的电场辅助磁存储器件，其中所述铁电 氧化物层厚度不超过2微米。

4.根据权利要求1所述的电场辅助磁存储器件，其中所述磁性 记录层由铁磁性材料形成，所述铁磁性材料为水平磁性记录介质材料 或者垂直磁性记录介质材料。

5.根据权利要求4所述的电场辅助磁存储器件，其中所述水平 磁性记录介质材料为Co基合金或者Fe基合金，所述垂直磁性记录 介质材料为CoCrPt-TiO₂或CoPt-SiO₂。

6.根据权利要求1所述的电场辅助磁存储器件，其中所述磁性 记录层的厚度不大于50nm。

7.根据权利要求1所述的电场辅助磁存储器件，其中所述底电 极层由Cu、Pt、钌酸锶、镍酸镧、软磁金属合金中的一种材料形成。

8.根据权利要求1所述的电场辅助磁存储器件，进一步包括： 设置在所述保护层上的润滑层。

9.根据权利要求1所述的电场辅助磁存储器件，进一步包括：

基片层，所述基片层与所述底电极层相接。

10.根据权利要求9所述的电场辅助磁存储器件，其中所述基片 层为具有光滑表面的非磁性衬底。