[发明专利]DDDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种DDDMOS器件，包括：沟道区、漂移区、源区、漏区、多晶硅栅。多晶硅栅通过一栅氧化层和沟道区以及漂移区隔离，栅氧化层包括一低压栅氧和一高压栅氧，高压栅氧的厚度大于低压栅氧的厚度，多晶硅栅覆盖了部分高压栅氧。在未被多晶硅栅覆盖的部分高压栅氧中开一深槽并在深槽中形成漏区。本发明还公开了该DDDMOS的制造方法。本发明能有效的降低器件的导通电阻、减小器件的面积，并能改善热电子效应、具有工艺可行性。

主权项

一种DDDMOS器件，包括：一N型外延层，形成于硅衬底上；一沟道区，由形成于所述外延层表面部分中的一第二导电类型低压阱组成，通过一第二导电类型掺杂区形成欧姆接触引出沟道电极；一漂移区，由形成于所述外延层表面部分中的一第一导电类型高压阱组成，和所述第二导电类型低压阱相邻接；所述漂移区还包括一第一导电类型低压阱区，该第一导电类型低压阱形成在所述第一导电类型高压阱中并和所述沟道区相隔一定距离；一源区，由形成于所述沟道区中第一导电类型掺杂区组成，直接通过一欧姆接触引出源极；其特征在于，还包括：一漏区，由形成于所述第一导电类型低压阱中的第一导电类型掺杂区组成；一栅氧化层，覆盖了所述沟道区和部分所述漂移区，由一低压栅氧和一高压栅氧组成，所述高压栅氧的厚度大于所述低压栅氧的厚度，所述低压栅氧的一端和所述源区相接、另一端和所述高压栅氧相接、覆盖了全部所述沟道区和近沟道区的部分所述漂移区；所述高压栅氧的一端和所述低压栅氧相接、另一端延伸到所述第一导电类型低压阱上方，所述漏区的第一导电类型掺杂区是通过在所述第一导电类型低压阱上方的所述高压栅氧中开深槽并做离子注入形成，通过在所述深槽中填入金属并直接和所述第一导电类型掺杂区形成欧姆接触引出所述漏极；一多晶硅栅，形成于所述低压栅氧和所述高压栅氧上，覆盖了全部所述低压栅氧和部分所述高压栅氧、和所述漏极保持一距离。