[发明专利]DDDMOS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种DDDMOS器件，包括：

一N型外延层，形成于硅衬底上；

一沟道区，由形成于所述外延层表面部分中的一第二导电类型低压阱组成，通过一第二导电类型掺杂区形成欧姆接触引出沟道电极；

一漂移区，由形成于所述外延层表面部分中的一第一导电类型高压阱组成，和所述第二导电类型低压阱相邻接；所述漂移区还包括一第一导电类型低压阱区，该第一导电类型低压阱形成在所述第一导电类型高压阱中并和所述沟道区相隔一定距离；

一源区，由形成于所述沟道区中第一导电类型掺杂区组成，直接通过一欧姆接触引出源极；

其特征在于，还包括：

一漏区，由形成于所述第一导电类型低压阱中的第一导电类型掺杂区组成；

一栅氧化层，覆盖了所述沟道区和部分所述漂移区，由一低压栅氧和一高压栅氧组成，所述高压栅氧的厚度大于所述低压栅氧的厚度，所述低压栅氧的一端和所述源区相接、另一端和所述高压栅氧相接、覆盖了全部所述沟道区和近沟道区的部分所述漂移区；所述高压栅氧的一端和所述低压栅氧相接、另一端延伸到所述第一导电类型低压阱上方，所述漏区的第一导电类型掺杂区是通过在所述第一导电类型低压阱上方的所述高压栅氧中开深槽并做离子注入形成，通过在所述深槽中填入金属并直接和所述第一导电类型掺杂区形成欧姆接触引出所述漏极；

一多晶硅栅，形成于所述低压栅氧和所述高压栅氧上，覆盖了全部所述低压栅氧和部分所述高压栅氧、和所述漏极保持一距离。

2.如权利要求1所述的DDDMOS器件，其特征在于：所述DDDMOS器件为N型时，第一导电类型为N型、第二导电类型为P型；所述DDDMOS器件为P型时，第一导电类型为P型、第二导电类型为N型。

3.一种如权利要求1所述的DDDMOS器件的制造方法，包括：

在硅衬底上形成一N型外延层；

在所述外延层表面部分中制作一第二导电类型低压阱形成一沟道区，通过一第二导电类型掺杂区形成欧姆接触引出沟道电极；

在所述外延层表面部分中制作一第一导电类型高压阱形成一漂移区，所述第一导电类型高压阱和所述第二导电类型低压阱相邻接；

其特征在于，还包括如下步骤：

在所述第一导电类型高压阱中制作一第一导电类型低压阱区，该第一导电类型低压阱和所述沟道区相隔一定距离，该第一导电类型低压阱也作为所述漂移区的一部分；

在所述沟道区和部分所述漂移区的表面上形成互相连接的一低压栅氧和一高压栅氧，所述高压栅氧的厚度大于所低压栅氧的厚度；

在所述低压栅氧和所述高压栅氧上生长一多晶硅层并刻蚀形成多晶硅栅，所述多晶硅栅覆盖了全部所述低压栅氧和部分所述高压栅氧；

以所述多晶硅栅以及所述高压栅氧为阻挡层自对准注入第一导电类型离子，在所述低压栅氧旁侧的沟道区中形成源区；

在所述沟道区中制作一第二导电类型区域作为沟道电极的引出端；

形成层间膜，并进行研磨平坦化，用光刻工艺定义漏区位置，该漏区位置对准了所述高压栅氧及其覆盖的所述第一导电类型低压阱；并刻蚀形成一深槽，该深槽穿过了所述层间膜和所述高压栅氧到达了所述第一导电类型低压阱表面；再进行低阻接触离子注入形成漏区；

定义并制作源极、沟道电极以及栅极的接触孔，在各接触孔和所述漏区上的深槽中填入金属如硅化钨形成所述源极、漏极、栅极以及沟道电极。

4.如权利要求3所述的DDDMOS器件的制造方法，其特征在于：所述DDDMOS器件为N型时，第一导电类型为N型、第二导电类型为P型；所述DDDMOS器件为P型时，第一导电类型为P型、第二导电类型为N型。