[发明专利]一种MEMS微桥结构接触孔制备方法有效
| 申请号： | 201010022429.2 | 申请日： | 2010-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN101774531A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭;姜利军;蒋宾;赵宇航;庞惠民 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;浙江大立科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MEMS微桥结构接触孔制备方法，在半导体硅衬底上依次完成反射层、介质层、牺牲层、释放保护和支撑层、金属层，以及形成于金属电极表面和未被金属电极覆盖的释放保护和支撑层表面的敏感材料层的沉积与图形化。本发明提供的MEMS微桥结构接触孔制备方法中，使用同一块光刻掩膜版实现支撑孔和位于支撑孔内部的接触孔图形的光刻曝光，不仅极大的降低了该产品的生产和研发成本，而且提高了工艺窗口，相应地可提高该MEMS的性能、成品率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 结构 接触 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS微桥结构接触孔的制备方法，包括以下步骤：(1)在硅衬底上依次完成反射层、介质层和牺牲层的制备；(2)刻蚀所述牺牲层至曝露出所述反射层表面，实现支撑孔的图形化；(3)在步骤(2)制备完成的器件结构表面沉积第一释放保护层；(4)在所述支撑孔内刻蚀所述第一释放保护层至曝露出所述反射层表面，实现接触孔的图形化；(5)在步骤(4)制备完成的器件结构表面沉积金属层，并将其图形化；(6)在步骤(5)制备完成的器件结构表面沉积敏感材料层，并将其图形化；(7)在步骤(6)制备完成的器件结构表面沉积第二释放保护层；其特征在于：所述步骤(2)中支撑孔的图形化和步骤(4)中接触孔的图形化过程中使用同一光刻掩膜版，通过欠曝光技术实现不同尺寸孔图形的光刻。
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