[发明专利]一种MEMS微桥结构接触孔制备方法

权利要求书

1.一种MEMS微桥结构接触孔的制备方法，包括以下步骤：

(1)在硅衬底上依次完成反射层、介质层和牺牲层的制备；

(2)刻蚀所述牺牲层至曝露出所述反射层表面，实现支撑孔的图形化；

(3)在步骤(2)制备完成的器件结构表面沉积第一释放保护层；

(4)在所述支撑孔内刻蚀所述第一释放保护层和支撑层至曝露出所述反射层表面，实现接触孔的图形化；

(5)在步骤(4)制备完成的器件结构表面沉积金属层，并将其图形化；

(6)在步骤(5)制备完成的器件结构表面沉积敏感材料层，并将其图形化；

(7)在步骤(6)制备完成的器件结构表面沉积第二释放保护层；

其特征在于：

所述步骤(2)中支撑孔的图形化和步骤(4)中接触孔的图形化过程中使用同一光刻掩膜版，通过欠曝光技术实现不同尺寸孔图形的光刻；所述的步骤(3)与步骤(4)之间还包括以下步骤：

(31)所述第一释放保护层表面首先沉积一支撑层。

2.根据权利要求1所述的MEMS微桥结构接触孔制备方法，其特征在于，所述反射层材料为Ti或TiN或Al，所述介质层材料为二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的MEMS微桥结构接触孔制备方法，其特征在于，所述牺牲层通过涂敷或化学气相淀积方法沉积，并通过化学刻蚀工艺释放，所述牺牲层材料为多孔硅或非晶硅或二氧化硅或聚酰亚胺。

4.根据权利要求1所述的MEMS微桥结构接触孔制备方法，其特征在于，所述第一释放保护层和所述第二释放保护层通过原子层沉积或化学气相 淀积方法沉积，二者材料为二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或碳化硅中的一种，或者非化学计量比的二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、碳化硅中的一种，或者掺杂有磷或硼或碳或氟元素的上述材料中的一种。

5.根据权利要求4所述的MEMS微桥结构接触孔制备方法，其特征在于，所述第一释放保护层和所述第二释放保护层的材料相同。

6.根据权利要求4所述的MEMS微桥结构接触孔制备方法，其特征在于，所述第一释放保护层和所述第二释放保护层的材料不同。

7.根据权利要求1所述的MEMS微桥结构接触孔制备方法，其特征在于，所述敏感材料层通过化学气相淀积或物理汽相淀积方法沉积，其材料为掺硼或磷的非晶硅或V₂O₅或多晶SiGe或YBaCuO。

8.根据权利要求1所述的MEMS微桥结构接触孔制备方法，其特征在于，所述金属层通过物理汽相淀积方法沉积，其材料为钛、钽、上下层叠的氮化钛和钛、上下层叠的钽和氮化钽中的一种。

9.根据权利要求1至8中任意一项所述的MEMS微桥结构接触孔制备方法，其特征在于，所述步骤(4)和步骤(5)的工艺顺序可以互换，在沉积金属层前先沉积敏感材料层时，所述敏感材料层的图形化为在所述接触孔位置开窗口，刻蚀至曝露出所述反射层表面。

10.根据权利要求9所述的MEMS微桥结构接触孔制备方法，其特征在于，所述支撑层的材料为二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅或碳化硅中的一种，或者非化学计量比的二氧化硅、氮氧化硅、氮化硅、碳化硅中的一种，或者掺杂有磷或硼或碳或氟元素的上述材料中的一种。