[发明专利]按照压力接触方式实施的功率半导体模块有效
| 申请号： | 201010004906.2 | 申请日： | 2010-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101794742A | 公开（公告）日： | 2010-08-04 |
| 发明（设计）人： | 马库斯·克内贝尔;彼得·贝克达尔 | 申请（专利权）人： | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/473 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 车文;樊卫民 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 介绍了一种按照压力接触方式实施的功率半导体模块(10)，用于设置在冷却构件(12)上。该功率半导体模块(10)具有至少一个衬底(14)，在所述衬底(14)上设置有功率半导体器件(20)。压力装置(26)用于使所述功率半导体器件(20)在所述至少一个衬底(14)上压力接触导通，以及用于从所述衬底(14)至冷却构件(12)的导热。将所述压力装置(26)构造为主动式冷却装置(28)。在根据本发明的功率半导体模块中，对于功率半导体器件的冷却方案得到改善。 | ||
| 搜索关键词： | 按照 压力 接触 方式 实施 功率 半导体 模块 | ||
【主权项】：
按照压力接触方式实施的功率半导体模块，用于设置在冷却构件(12)上，所述功率半导体模块具有至少一个衬底(14)和压力装置(26)，在所述衬底(14)上设置有功率半导体器件(20)，所述压力装置(26)用于使所述功率半导体器件(20)在所述至少一个衬底(14)上压力接触导通，以及用于将所述至少一个衬底(14)以导热的方式设置在所述冷却构件(12)上，其特征在于，将所述压力装置(26)构造为主动式冷却装置(28)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛米控电子股份有限公司，未经赛米控电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010004906.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
