[发明专利]半导体装置的互连布线结构及其制造方法

摘要

一种半导体装置的互连布线结构及其制造方法，所述制造方法包括：形成隔离区于半导体衬底中，所述隔离区在斜方向配置有源区；通过选择性蚀刻第二层间绝缘层，形成第一镶嵌沟槽，第一镶嵌沟槽开放位线接触部的上部分；形成位线，所述位线填充第一镶嵌沟槽；通过选择性蚀刻在位线之间的第二层间绝缘层的部分和在位线下方的第一层间绝缘层的部分，形成第二镶嵌沟槽，第二镶嵌沟槽使所述有源区的部分暴露；附着沟槽间隔物于第二镶嵌沟槽的侧壁上；形成填充第二镶嵌沟槽的储存节点接触线。

主权项

一种半导体装置的互连布线结构的制造方法，所述方法包括：形成隔离区，其中所述隔离区在相对于半导体衬底的斜方向配置有源区；形成第一层间绝缘层于所述有源区上；形成位线接触部，其中所述位线接触部穿过第一层间绝缘层，以及所述位线接触部耦接至所述有源区；形成第二层间绝缘层，其中第二层间绝缘层覆盖所述位线接触部；通过选择性蚀刻第二层间绝缘层来形成第一镶嵌沟槽，其中第一镶嵌沟槽使所述位线接触部的上部分暴露；形成位线，其中所述位线填充第一镶嵌沟槽；通过选择性蚀刻在所述位线之间的第二层间绝缘层的部分和在所述位线下方的第一层间绝缘层的部分来形成第二镶嵌沟槽，其中第二镶嵌沟槽使所述有源区的一部分暴露；附着沟槽间隔物于第二镶嵌沟槽的侧壁上；形成储存节点接触线，其中所述储存节点接触线填充第二镶嵌沟槽；形成具有线状的掩模，其中所述掩模与所述储存节点接触线相交；通过选择性蚀刻以所述掩模所暴露的所述储存节点接触线的部分来形成节点隔离沟，其中所述节点隔离沟将所述储存节点接触线分隔成储存节点接触部；以及形成第三层间绝缘层，其中第三层间绝缘层填充及绝缘所述节点隔离沟。