[发明专利]半导体装置的互连布线结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的互连布线结构的制造方法，所述方法包括：

形成隔离区，其中所述隔离区在相对于半导体衬底的斜方向配置有源区；

形成第一层间绝缘层于所述有源区上；

形成位线接触部，其中所述位线接触部穿过第一层间绝缘层，以及所述位线接触部耦接至所述有源区；

形成第二层间绝缘层，其中第二层间绝缘层覆盖所述位线接触部；

通过选择性蚀刻第二层间绝缘层来形成第一镶嵌沟槽，其中第一镶嵌沟槽使所述位线接触部的上部分暴露；

形成位线，其中所述位线填充第一镶嵌沟槽；

通过选择性蚀刻在所述位线之间的第二层间绝缘层的部分和在所述位线下方的第一层间绝缘层的部分来形成第二镶嵌沟槽，其中第二镶嵌沟槽使所述有源区的一部分暴露；

附着沟槽间隔物于第二镶嵌沟槽的侧壁上；

形成储存节点接触线，其中所述储存节点接触线填充第二镶嵌沟槽；

形成具有线状的掩模，其中所述掩模与所述储存节点接触线相交；

通过选择性蚀刻以所述掩模所暴露的所述储存节点接触线的部分来形成节点隔离沟，其中所述节点隔离沟将所述储存节点接触线分隔成储存节点接触部；以及

形成第三层间绝缘层，其中第三层间绝缘层填充及绝缘所述节点隔离沟。

2.如权利要求1的方法，进一步包括形成埋入式栅极，其中所述埋入式栅极延伸以与所述有源区相交。

3.如权利要求2的方法，其中形成埋入式栅极的步骤包括：

形成栅极沟槽，其中所述栅极沟槽与所述有源区相交；

形成用于栅极的金属层，其中所述金属层局部地填充所述栅极沟槽；

形成覆盖层于所述金属层上，其中所述覆盖层填充栅极的剩余部分；以及

形成第一停止层于所述半导体衬底上，其中第一停止层覆盖栅极覆盖层。

4.如权利要求1的方法，其中形成位线接触部的步骤包括：

形成位线接触孔，其中所述位线接触孔穿过第一层间绝缘层；

在所述位线接触孔的侧壁上形成用于控制所述位线接触部的临界尺寸的孔间隔物；

形成导电层，其中所述导电层填充所述位线接触孔；以及

通过平坦化所述导电层来实施节点隔离。

5.如权利要求4的方法，其中所述节点隔离包括对所述导电层进行化学机械抛光，以便抛光及移除所述孔间隔物的上端。

6.如权利要求1的方法，进一步包括形成第二停止层，其中第二停止层在第一层间绝缘层与第二层间绝缘层之间的界面中延伸，以覆盖所述位线接触部，使得在第一镶嵌沟槽的形成时第二停止层被检测为蚀刻停止点。

7.如权利要求6的方法，进一步包括：

形成具有连接至所述储存节点接触部的储存节点的电容器；

形成第四层间绝缘层，其中第四层间绝缘层覆盖所述电容器；

形成接触孔，其中所述接触孔穿过在所述半导体衬底的周边区上的第四层间绝缘层及第二层间绝缘层，以及其中所述接触孔与第二位线对齐，以及其中第二停止层防止所述接触孔穿过第一层间绝缘层；以及

形成互连接触部，其中所述互连接触部填充所述接触孔。

8.如权利要求1的方法，其中形成第二镶嵌沟槽的步骤包括：

形成具有非晶碳层及氮氧化硅SiON层的硬掩模于第二层间绝缘层上；以及

选择性蚀刻通过所述硬掩模所暴露的第二层间绝缘层的部分。

9.如权利要求1的方法，其中形成位线的步骤包括：

形成导电层，其中所述导电层填充第一镶嵌沟槽；

通过实施回蚀刻，在所述导电层上形成凹陷的凹部，以使所述位线的上表面比第二层间绝缘层的表面低；以及

形成位线覆盖层，其中所述位线覆盖层填充所述凹部，以覆盖及保护所述位线的上表面。

10.如权利要求9的方法，其中形成第二镶嵌沟槽的步骤包括：

形成单元开放掩模，其中所述单元开放掩模使在所述单元区中的第二层间绝缘层的部分暴露；

选择性蚀刻通过所述单元开放掩模所暴露的第二层间绝缘层的部分及所述位线覆盖层；

形成位线间隔物于通过第二层间绝缘层的所述部分所暴露的所述位线的侧壁上；以及

选择性蚀刻通过所述位线间隔物所暴露的第一层间绝缘层的部分。