[发明专利]处理晶片的方法及使用该方法的半导体制造设备有效
| 申请号： | 201010003512.5 | 申请日： | 2010-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101877303A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 张奕斌;赖东隆;黄循康 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/683 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种处理晶片的方法及使用该方法的半导体制造设备，该处理晶片的方法包括：测量表示晶片翘曲量的数据；根据翘曲量，决定至少两个不同的控制电压，并通过用以夹持上述晶片的静电式晶片座将控制电压施加至晶片的相应位置；以及当在晶片上执行工艺时，施加至少两个不同的控制电压，用以夹持晶片的相应位置。本发明可以减少基板应力、减少破片或平坦化基板，因此基板的所有区域均能合适地被聚焦。避免了晶片翘曲的非理想效应。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 晶片 方法 使用 半导体 制造 设备 | ||
【主权项】：
一种处理晶片的方法，包括：测量表示晶片翘曲量的数据；根据已测量的翘曲量，决定至少两个不同的控制电压，并通过一静电式晶片座将上述控制电压施加至晶片的相应位置；以及当在晶片上执行工艺时，施加上述至少两个不同的控制电压，用以夹持晶片的相应位置，其中上述测量表示晶片翘曲的数据的步骤包括以激光测量晶片上表面多个位置的高度，并且在制造期间即时地被执行于半导体制造设备中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010003512.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
