[发明专利]处理晶片的方法及使用该方法的半导体制造设备

权利要求书

1.一种处理晶片的方法，包括：

测量表示晶片翘曲量的数据；

根据已测量的翘曲量，决定至少两个不同的控制电压，并通过一静电式晶片座将上述控制电压施加至晶片的相应位置；以及

当在晶片上执行工艺时，施加上述至少两个不同的控制电压，用以夹持晶片的相应位置，其中

上述测量表示晶片翘曲的数据的步骤包括以激光测量晶片上表面多个位置的高度，并且在制造期间即时地被执行于半导体制造设备中。

2.如权利要求1所述的处理晶片的方法，其中施加上述至少两个不同的控制电压的步骤包括在耦接至上述静电式晶片座的计算机中计算上述控制电压，并将相应的不同的上述控制电压施加至上述静电式晶片座的多个区域的每一个。

3.如权利要求2所述的处理晶片的方法，其中上述静电式晶片座具有一中心区域与一外缘区域，并且施加至上述外缘区域的上述控制电压高于施加至上述中心区域的上述控制电压。

4.如权利要求3所述的处理晶片的方法，其中上述静电式晶片座具有一居中区域，并且施加至上述居中区域的上述控制电压介于施加至上述外缘区域的上述控制电压与施加至上述中心区域的上述控制电压之间。

5.如权利要求2所述的处理晶片的方法，还包括：

收集多个测试晶片的测试数据，相关于上述测试晶片的破片的上述测试数据具有多个夹持电压，并且具有上述测试晶片的多个区域的每一个的翘曲量；以及

存储上述测试数据于一测试数据表中，其中决定至少两个不同的控制电压的步骤是根据上述测试数据所决定。

6.如权利要求5所述的处理晶片的方法，其中决定至少两个不同的控制电压的步骤包括由相应于翘曲量的上述测试数据表选择一组夹持电压，其中翘曲量接近于晶片的翘曲量。

7.如权利要求5所述的处理晶片的方法，其中决定至少两个不同的控制电压的步骤包括：

由相应于翘曲量的上述测试数据表选择两组夹持电压，其中翘曲量接近于晶片的翘曲量；以及

在上述两组夹持电压之间执行内插法，用以决定两个不同的上述控制电压。

8.一种半导体制造设备，包括：

一测量反应室，用以测量一半导体基板的翘曲量，其中上述测量反应室包括一激光，用以测量晶片上表面的多个位置的高度；

一缓冲反应室，密封耦接于上述测量反应室；

一工艺反应室，密封耦接于上述缓冲反应室，上述工艺反应室用以在上述半导体基板上执行材料的沉积生长或移除步骤，上述工艺反应室具有一静电式晶片座，上述静电式晶片座具有至少两区域并用以施加夹持力予上述半导体基板，每一上述区域具有独立的控制电压；以及

一处理器，耦接于上述测量反应室与每一上述工艺反应室之间，用以由上述测量反应室接收代表翘曲量的数据并且根据上述翘曲量决定每一上述区域的上述控制电压，上述静电式晶片座通过上述控制电压以施加夹持力。

9.如权利要求8所述的半导体制造设备，其中上述静电式晶片座具有一中心区域与一外缘区域，并且施加至上述外缘区域的上述控制电压高于施加至上述中心区域的上述控制电压。

10.如权利要求9所述的半导体制造设备，其中上述静电式晶片座具有一居中区域，并且施加至上述居中区域的上述控制电压介于施加至上述外缘区域的上述控制电压与施加至上述中心区域的上述控制电压之间。

11.如权利要求8所述的半导体制造设备，还包括：

一机器可读取介质，连接至上述处理器，上述机器可读取介质包括多个测试晶片的测试数据表，相关于上述测试晶片的破片的上述测试数据具有多个夹持电压，并且具有上述测试晶片的多个区域的每一个的翘曲量，其中上述处理器根据上述测试数据与上述翘曲量决定至少两个不同的控制电压。

12.一种采用计算机程序处理晶片的方法，其特征在于包括以下步骤：

控制一测量装置，用以测量表示一晶片的翘曲量的数据；

根据上述翘曲量，决定至少两个不同的控制电压，并通过一静电式晶片座将上述控制电压施加至上述晶片的相应位置；以及

当在上述晶片上执行工艺时，控制上述静电式晶片座，施加上述至少两个不同的控制电压，用以夹持上述晶片的相应位置。