[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201010003405.2 | 申请日： | 2010-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN102122668A | 公开（公告）日： | 2011-07-13 |
| 发明（设计）人： | 张义昭;杜尚晖;许健;张怡枫;白倪星 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，包括：一第一导电型衬底；一第二导电型井区，位于该第一导电型衬底上；一第二导电型扩散源极与一第二导电型扩散漏极，位于该第一导电型衬底上；一栅极结构，位于该第二导电型扩散源极与该第二导电型扩散漏极之间的该第二导电型井区上；以及以横向排列的多数个第一导电型埋环，形成于该第二导电型井区中，并将该第二导电型井区分为一上部漂移区与一下部漂移区。本发明实施例能以简单的方法同时增进LDMOS的击穿电压并降低导通电阻，因此能应用在超高电压技术中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，所述的半导体结构包括：一第一导电型衬底；一第二导电型井区，位于所述第一导电型衬底上；一第二导电型扩散源极与一第二导电型扩散漏极，位于所述第一导电型衬底上；一栅极结构，位于所述第二导电型扩散源极与所述第二导电型扩散漏极之间的所述第二导电型井区上；以及以横向排列的多数个第一导电型埋环，形成于所述第二导电型井区中，并将所述第二导电型井区分为一上部漂移区与一下部漂移区。
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