[发明专利]横向功率晶体管器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200980162481.3 | 申请日： | 2009-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN102668091A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 菲利普·雷诺 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/417;H01L29/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李佳;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种横向功率晶体管器件包括衬底(100)和包含异质结结构的多层台面结构(112、114)。填充沟槽区域(116)被定位为邻接多层台面结构(112、114)，填充沟槽区域(116)被金属占据。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 功率 晶体管 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种横向功率晶体管器件，包括：衬底；位于所述衬底上的多层台面结构，所述多层台面结构包括异质结结构；以及填充沟槽，所述填充沟槽填充有导电材料并且位置与所述多层台面结构邻接，所述多层台面结构的侧表面与所述导电材料电接触。
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