[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200980160041.4 | 申请日： | 2009-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN102804363A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 山地隆;加藤贵章 | 申请（专利权）人： | 青井电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明由下述工序制造半导体装置，从而提高生产率，所述工序是：将多个半导体芯片(11)按照与上述金属薄膜电绝缘的方式固定在金属薄膜(30)上的工序；通过连接部件(13)将半导体芯片的电极焊盘(12)和上述金属薄膜进行电连接的工序；通过树脂层(15)来密封上述金属薄膜的上述半导体芯片和上述连接部件的工序；以及通过分割上述金属薄膜来形成薄膜端子(30A)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具有：上表面具有多个电极焊盘的半导体芯片；在所述半导体芯片的下表面，分别以分离部进行分离而设置的多个薄膜端子；在所述半导体芯片和所述各薄膜端子之间设置的绝缘层；连接所述各半导体芯片的电极焊盘和所述各薄膜端子的连接部件；以及覆盖所述半导体芯片、从所述半导体芯片露出的所述多个薄膜端子、所述分离部上和所述连接部件而设置的树脂层。
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