[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

上表面具有多个电极焊盘的半导体芯片；

在所述半导体芯片的下表面，分别以分离部进行分离而设置的多个薄膜端子；

在所述半导体芯片和所述各薄膜端子之间设置的绝缘层；

连接所述各半导体芯片的电极焊盘和所述各薄膜端子的连接部件；以及

覆盖所述半导体芯片、从所述半导体芯片露出的所述多个薄膜端子、所述分离部上和所述连接部件而设置的树脂层。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述各薄膜端子在与所述树脂层的接触面侧具有微细的凹凸。

3.根据权利要求1或2的任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述薄膜端子具有从与所述树脂层的对面侧向外面侧突出的变形部，在所述变形部内填充有所述树脂层的一部分。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，将所述连接部件的一端与所述薄膜端子连接的连接部在所述薄膜端子的变形部内形成。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述连接部与所述薄膜端子一体地形成，并设置在比所述变形部的最深部浅的位置。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述薄膜端子具有层叠于所述半导体芯片的下表面的区域和所述半导体芯片的外侧的区域，所述变形部在所述薄膜端子的所述半导体芯片的外侧的区域形成。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述变形部比所述连接部件更多地形成。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述薄膜端子的厚度为30～200μm。

9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

准备具有电极焊盘的半导体芯片的工序；

准备面积比所述半导体芯片大的金属薄膜，将所述半导体芯片按照与所述金属薄膜电绝缘的方式固定在所述金属薄膜上的工序；

通过连接部件将所述电极焊盘和所述金属薄膜进行电连接的工序；

在所述金属薄膜上形成覆盖所述半导体芯片和所述连接部件的绝缘层的工序；以及

将所述金属薄膜形成为规定形状的薄膜端子的工序。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，准备所述金属薄膜的工序包含在与所述半导体芯片对应的区域形成开口部的工序。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述开口部具有延出至与所述半导体芯片不对应的区域的部分。

12.根据权利要求9～11中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，准备所述金属薄膜的工序包含在所述金属薄膜上形成从与所述树脂膜的对面侧向外面突出的变形部的工序。

13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，准备面积比所述半导体芯片大的金属薄膜的工序包含通过所述绝缘层在基台上粘接所述金属薄膜的工序，在所述金属薄膜上形成所述变形部的工序包含在所述绝缘层的内部形成所述金属薄膜的工序。

14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，通过所述绝缘层在基台上粘接所述金属薄膜的工序包含在所述变形部内填充所述绝缘层的工序。

15.根据权利要求13或14的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述金属薄膜上形成覆盖所述半导体芯片和所述连接部件的绝缘膜的工序之后，在将所述金属薄膜形成为规定形状的薄膜端子的工序之前，包含除去所述基台的工序。

16.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，按照以下工序的顺序进行，所述工序是：

准备具有电极焊盘的半导体芯片的工序；

准备面积比所述半导体芯片大的金属薄膜，将所述半导体芯片按照与所述金属薄膜电绝缘的方式固定在所述金属薄膜上的工序；

通过连接部件将所述电极焊盘和所述金属薄膜进行电连接的工序；

在所述金属薄膜上形成覆盖所述半导体芯片和所述连接部件的绝缘层的工序；以及

将所述金属薄膜形成为规定形状的薄膜端子的工序。