[发明专利]半导体晶片全通导孔内的金属填充装置和利用该装置的填充方法有效
| 申请号： | 200980159589.7 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102449749A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 俞世勋;李昌祐;金准基;金祯汉;金哲熙;高永基;辛义善 | 申请（专利权）人： | 韩国生产技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 姜虎;陈英俊 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明旨在提供一种半导体晶片全通导孔内的金属填充装置和利用该装置的填充方法，其目的在于提供一种相对于现有电镀法工序更加简单、方便，可降低工序费用的半导体晶片全通导孔内的金属填充装置和利用该装置的填充方法。为此，本发明的金属填充装置包括：夹具底座，具备对形成有全通导孔的晶片进行固定的夹具；上部气室，设置在所述夹具底座的上部；下部气室，设置在所述夹具底座的下部；加热器，设置在所述上部气室的内部，对放置于晶片上的填充金属进行加热使其熔融；真空泵，向外排出所述下部气室的空气以降低下部气室的压力，导致上部气室和下部气室之间产生压差，从而将熔融的填充金属填充至全通导孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 全通导孔内 金属 填充 装置 利用 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片全通导孔内的金属填充装置，其特征在于，包括：夹具底座(110)，其具备对形成有全通导孔(11)的晶片(10)进行固定的夹具(160)；上部气室(120)，设置在所述夹具底座(110)的上部；下部气室(130)，设置在所述夹具底座(110)的下部；加热器(140)，设置在所述上部气室(120)的内部，对放置于晶片上的填充金属(12)进行加热使其熔融；真空泵(150)，将所述下部气室(130)的空气向外排出以降低下部气室(130)的压力，导致上部气室(120)和下部气室(130)之间产生压差，从而将熔融的填充金属填充至全通导孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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