[发明专利]半导体晶片全通导孔内的金属填充装置和利用该装置的填充方法有效
| 申请号： | 200980159589.7 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102449749A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 俞世勋;李昌祐;金准基;金祯汉;金哲熙;高永基;辛义善 | 申请（专利权）人： | 韩国生产技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 姜虎;陈英俊 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 全通导孔内 金属 填充 装置 利用 方法 | ||
1.一种半导体晶片全通导孔内的金属填充装置，其特征在于，包括：
夹具底座(110)，其具备对形成有全通导孔(11)的晶片(10)进行固定的夹具(160)；
上部气室(120)，设置在所述夹具底座(110)的上部；
下部气室(130)，设置在所述夹具底座(110)的下部；
加热器(140)，设置在所述上部气室(120)的内部，对放置于晶片上的填充金属(12)进行加热使其熔融；
真空泵(150)，将所述下部气室(130)的空气向外排出以降低下部气室(130)的压力，导致上部气室(120)和下部气室(130)之间产生压差，从而将熔融的填充金属填充至全通导孔。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片全通导孔内的金属填充装置，其特征在于，所述夹具(160)包括：
晶片安放部(161)，用于安放晶片；
晶片支撑部(162)，一体形成在所述晶片安放部的下端部，并具有格栅状结构以便在不干涉全通导孔的情况下支撑晶片底面；
晶片固定部(163)，组装在晶片安放部(161)，以便从上部加压固定被安装在所述晶片安放部(161)中的晶片。
3.根据权利要求1所述的半导体晶片全通导孔内的金属填充装置，其特征在于，
所述加热器(140)与设置在上部气室(120)的液压缸(141)连接，从而能够进行上下移动。
4.一种半导体晶片全通导孔内的金属填充方法，其特征在于，包括：
步骤S1，将形成有全通导孔(11)的晶片(10)固定在位于上部气室(120)的下部气室(130)之间的夹具(160)；
步骤S2，在通过所述步骤S1固定的晶片上放置需要填充的金属(12)；
步骤S3，密闭上部气室(120)以防止所述上部气室(120)中发生空气流入及流出；
步骤S4，利用配置于所述上部气室(120)的内部的加热器(140)加热金属使其熔融；
步骤S5，通过真空泵将所述下部气室(130)的空气向外排出，降低下部气室(130)的压力，以在上部气室(120)和下部气室(130)之间产生压差，从而将熔融的填充金属填充到全通导孔内。
5.根据权利要求4所述的半导体晶片全通导孔内的金属填充方法，其特征在于，
在所述步骤S2，以锡珠、焊膏或通过干式蒸镀法涂覆的方式中的任一方式放置需要填充的金属。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
