[发明专利]SiC基板的制作方法无效
| 申请号： | 200980158997.0 | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN102414348A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 浜田信吉;中村信彦;松浪彻 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱科通 |
| 主分类号： | C30B19/04 | 分类号： | C30B19/04;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SiC基板的制作方法，其为使用亚稳态溶剂外延法制作SiC基板的方法，该方法具有下述工序：晶体生长工序，在SiC晶体生长温度下在SiC基板的表面生长规定膜厚的SiC晶体；之后的Si蒸发工序，在SiC晶体生长温度与Si熔点之间的温度下使Si熔体蒸发。在该SiC基板的制作方法中，晶体生长工序的气氛压力高于Si熔体的饱和蒸气压，Si蒸发工序中的气氛压力低于Si熔体的饱和蒸气压。通过前述方法可得到表面没有大的凹凸的单晶SiC。 | ||
| 搜索关键词： | sic 制作方法 | ||
【主权项】：
一种SiC基板的制作方法，其特征在于，其为使用亚稳态溶剂外延法制作SiC基板的方法，该方法具有下述工序：晶体生长工序，在SiC晶体生长温度下在SiC基板的表面生长规定厚度的SiC晶体；之后的Si蒸发工序，在所述SiC晶体生长温度与Si熔点之间的温度下使Si熔体蒸发。
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