[发明专利]SiC基板的制作方法

权利要求书

1.一种SiC基板的制作方法，其特征在于，其为使用亚稳态溶剂外延法制作SiC基板的方法，该方法具有下述工序：

晶体生长工序，在SiC晶体生长温度下在SiC基板的表面生长规定厚度的SiC晶体；之后的

Si蒸发工序，在所述SiC晶体生长温度与Si熔点之间的温度下使Si熔体蒸发。

2.根据权利要求1所述的SiC基板的制作方法，其特征在于，所述晶体生长工序中的气氛压力高于Si熔体的饱和蒸气压，

所述Si蒸发工序中的气氛压力低于Si熔体的饱和蒸气压。

3.根据权利要求2所述的SiC基板的制作方法，其特征在于，该方法在所述晶体生长工序之前具有下述工序：

Si熔体形成工序，在真空气氛下升温至SiC晶体生长温度与Si熔点之间的温度，形成Si熔体；和

Si熔体形成温度保持工序，将所述Si熔体形成工序的温度保持规定时间，

在所述Si熔体形成温度保持工序中，引入惰性气体(氮气除外)、氢气或它们的混合气体直至达到所述晶体生长工序中使用的气氛压力。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的SiC基板的制作方法，其特征在于，投入的Si量是在得到规定厚度的SiC晶体所需的Si量的基础上、追加了超过所述晶体生长工序中的Si熔体的蒸发量的量。