[发明专利]TFT基板和使用该TFT基板的液晶显示装置无效

专利信息
申请号: 200980158201.1 申请日: 2009-11-05
公开(公告)号: CN102356352A 公开(公告)日: 2012-02-15
发明(设计)人: 星野淳之 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G02F1/1368 分类号: G02F1/1368;G02F1/1343
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供能精度良好地保持排列于TFT基板上的多个像素的像素电位的TFT基板。本发明的TFT基板具备:栅极总线(G2、G3);辅助电容总线(CsYH3、CsYL2),其来源于与栅极总线(G2、G3)相同的配线层;辅助电容总线(CsXH1),其来源于与栅极总线(G2、G3)相同的配线层,形成第1子像素(SP21)的辅助电容(22);以及辅助电容总线(CsXL2),其来源于与栅极总线(G2、G3)相同的配线层,形成第2子像素(SP22)的辅助电容(25)。辅助电容总线(CsYH3)和辅助电容总线(CsXH1)、以及辅助电容总线(CsYL2)和辅助电容总线(CsXL2)分别通过来源于与栅极总线(G2、G3)不同的配线层的连接配线部连接。
搜索关键词: tft 使用 液晶 显示装置
【主权项】:
一种TFT基板,其特征在于,是包括第1子像素和与该第1子像素相邻的第2子像素的多个像素排列成矩阵状的有源矩阵型的TFT基板,上述TFT基板具备:第1栅极总线和第2栅极总线,其沿着上述第1子像素和上述第2子像素相邻的相邻方向延伸;第1辅助电容总线和第2辅助电容总线,其来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线相同的配线层且沿着上述相邻方向延伸;第3辅助电容总线,其来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线相同的配线层且与上述第1子像素靠近,在与上述第1子像素的子像素电极之间形成上述第1子像素的辅助电容;以及第4辅助电容总线,其来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线相同的配线层且与上述第2子像素靠近,在与上述第2子像素的子像素电极之间形成上述第2子像素的辅助电容,上述第1辅助电容总线和上述第1子像素以隔着上述第1栅极总线的方式配置,上述第2辅助电容总线和上述第2子像素以隔着上述第2栅极总线的方式配置,上述第1辅助电容总线和上述第2辅助电容总线被施加彼此不同的电压,上述TFT基板还具备:第1连接配线部,其将上述第1辅助电容总线与上述第3辅助电容总线之间连接,来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线不同的配线层;以及第2连接配线部,其将上述第2辅助电容总线与上述第4辅助电容总线之间连接,来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线不同的配线层。
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