[发明专利]TFT基板和使用该TFT基板的液晶显示装置无效
申请号: | 200980158201.1 | 申请日: | 2009-11-05 |
公开(公告)号: | CN102356352A | 公开(公告)日: | 2012-02-15 |
发明(设计)人: | 星野淳之 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | tft 使用 液晶 显示装置 | ||
1.一种TFT基板,其特征在于,是包括第1子像素和与该第1子像素相邻的第2子像素的多个像素排列成矩阵状的有源矩阵型的TFT基板,上述TFT基板具备:
第1栅极总线和第2栅极总线,其沿着上述第1子像素和上述第2子像素相邻的相邻方向延伸;
第1辅助电容总线和第2辅助电容总线,其来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线相同的配线层且沿着上述相邻方向延伸;
第3辅助电容总线,其来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线相同的配线层且与上述第1子像素靠近,在与上述第1子像素的子像素电极之间形成上述第1子像素的辅助电容;以及
第4辅助电容总线,其来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线相同的配线层且与上述第2子像素靠近,在与上述第2子像素的子像素电极之间形成上述第2子像素的辅助电容,
上述第1辅助电容总线和上述第1子像素以隔着上述第1栅极总线的方式配置,上述第2辅助电容总线和上述第2子像素以隔着上述第2栅极总线的方式配置,
上述第1辅助电容总线和上述第2辅助电容总线被施加彼此不同的电压,
上述TFT基板还具备:
第1连接配线部,其将上述第1辅助电容总线与上述第3辅助电容总线之间连接,来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线不同的配线层;以及
第2连接配线部,其将上述第2辅助电容总线与上述第4辅助电容总线之间连接,来源于与上述第1栅极总线和第2栅极总线不同的配线层。
2.根据权利要求1所述的TFT基板,其特征在于,上述第1连接配线部来源于与上述第1子像素的子像素电极相同的配线层,上述第2连接配线部来源于与上述第2子像素的子像素电极相同的配线层。
3.根据权利要求1或2所述的TFT基板,其特征在于,具有矩形形状的上述第1子像素具有沿着上述第3辅助电容总线的第1边和位于与该第1边相反的一侧的第2边,
上述第3辅助电容总线包含:第1分支线部分,其与上述第1子像素的第1边靠近;以及第2分支线部分,其与上述第1子像素的第2边靠近。
4.根据权利要求3所述的TFT基板,其特征在于,上述第1子像素还具有配置于上述第1边与上述第2边之间的上述第1栅极总线侧的第3边,
上述第3辅助电容总线还包含与上述第1子像素的第3边靠近的第3分支线部分。
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的TFT基板,其特征在于,还具备与上述第1栅极总线和第2栅极总线交叉的源极总线,
上述第1子像素和上述第2子像素配置成隔着上述源极总线而相对。
6.根据权利要求5所述的TFT基板,其特征在于,上述第1连接配线部来源于与上述第1子像素的子像素电极相同的配线层和与上述源极总线相同的配线层,上述第2连接配线部来源于与上述第2子像素的子像素电极相同的配线层和与上述源极总线相同的配线层。
7.根据权利要求1~4中的任一项所述的TFT基板,其特征在于,还具备与上述第1栅极总线和第2栅极总线交叉的两条源极总线,
上述第1子像素和上述第2子像素配置于相邻的上述两条源极总线间且与相邻的上述两条源极总线中的任一方连接。
8.根据权利要求1~7中的任一项所述的TFT基板,其特征在于,上述多个像素的排列是条状排列。
9.根据权利要求1~7中的任一项所述的TFT基板,其特征在于,上述多个像素的排列是三角形排列。
10.一种液晶显示装置,其特征在于,具备:
权利要求1~9中的任一项所述的TFT基板;以及
控制电路,其用于控制图像显示处理,上述图像显示处理用于使用上述TFT基板显示图像。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社,未经夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200980158201.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高速脱油脱水机的主轴旋转机构
- 下一篇:一种双支撑多级离心鼓风机空心主轴