[发明专利]半导体制造系统中的离子源清洁方法有效
| 申请号： | 200980158194.5 | 申请日： | 2009-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102396048A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 约瑟·D·史威尼;莎拉德·N·叶达夫;欧利格·拜;罗伯·金姆;大卫·艾德瑞吉;丰琳;史蒂芬·E·毕夏普;W·卡尔·欧兰德;唐瀛 | 申请（专利权）人： | 先进科技材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明系关于藉由监测阴极偏压功率且取决于比较值采取校正动作而藉由利用能够生长/蚀刻在一离子植入系统之间接加热的阴极中的该阴极的温度及/或反应性清洗试剂来蚀刻或再生长该阴极以清洗一离子植入系统或其部件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 系统 中的 离子源 清洁 方法 | ||
【主权项】：
一种控制一离子植入系统中一间接加热的阴极源的状态的方法，其特征在于，该方法包含：a)藉由在一预定时间量测阴极偏压功率来确定该间接加热的阴极源的使用功率；b)比较该预定时间的该使用功率与初始功率；及c)响应于该比较采取校正动作(i)或(ii)以控制该间接加热的阴极的该状态，藉此(i)若该预定时间的该使用功率高于该初始功率，则蚀刻该间接加热的阴极；或(ii)若该预定时间的该使用功率低于该初始功率，则再生长该间接加热的阴极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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