[发明专利]半导体制造系统中的离子源清洁方法

权利要求书

1.一种控制一离子植入系统中一间接加热的阴极源的状态的方法，其特征在于，该方法包含：

a)藉由在一预定时间量测阴极偏压功率来确定该间接加热的阴极源的使用功率；

b)比较该预定时间的该使用功率与初始功率；及

c)响应于该比较采取校正动作(i)或(ii)以控制该间接加热的阴极的该状态，藉此

(i)若该预定时间的该使用功率高于该初始功率，则蚀刻该间接加热的阴极；或

(ii)若该预定时间的该使用功率低于该初始功率，则再生长该间接加热的阴极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该(c)(i)的蚀刻包括在足以蚀刻的低温至中等温度的条件下操作该间接加热的阴极。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该(c)(ii)的再生长包括使一氟化气体在一电浆条件下在该间接加热的阴极上流动。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该氟化气体包含以下中之一或多者：XeF₂、XeF₄、XeF₆、GeF₄、SiF₄、BF₃、AsF₅、AsF₃、PF₅、PF₃、F₂、TaF₃、TaF₅、WF₆、WF₅、WF₄、NF₃、IF₅、IF₇、KrF₂、SF₆、C₂F₆、CF₄、ClF₃、N₂F₄、N₂F₂、N₃F、NFH₂、NH₂F、BrF₃、C₃F₈、C₄F₈、C₅F₈、CHF₃、CH₂F₂、CH₃F、COF₂、HF、C₂HF₅、C₂H₂F₄、C₂H₃F₃、C₂H₄F₂、C₂H₅F、C₃F₆及MoF₆。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该(c)(ii)的再生长包括在足以发生金属沈积的高温条件下操作该间接加热的阴极。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，其中该氟化气体包含XeF₂及N₂F₄中之一或多者。

7.一种操作一离子植入系统的方法，其特征在于，该离子植入系统在一离子源的一电弧室中包括一阴极，为保持该离子源的操作效率，所述方法包含将该阴极在以下条件下与一钨试剂进行接触，该等条件系选自以下构成的群组：

(a)实现钨在该阴极上沈积的条件；以及

(b)实现自该阴极上蚀刻所沈积材料的条件。

8.一种清洗一离子植入系统的一或多个部件的方法，其特征在于，用于自该一或多个部件至少部分地移除与电离作用有关的沈积物，所述方法包含将一清洗气体在以下条件下流过该系统，该等条件系选自以下构成的群组：

(a)实现材料在该阴极上沈积的条件；以及

(b)实现自该阴极上蚀刻所沈积材料的条件。