[发明专利]包括非常锥形的转变贯孔的半导体装置的金属化系统

摘要

在半导体装置的金属化系统中，可通过修改对应蚀刻顺序来提供具有锥形程度增加的转变贯孔。举例来说，可一次或多次腐蚀用以形成该贯孔开口的阻剂掩膜，以增加对应掩膜开口的横向尺寸。由于显著的锥形程度，在用以共同填充该贯孔开口与连接该贯孔开口的宽沟槽的后续电化学沉积制程期间可完成增强的沉积条件。

主权项

一种方法，包括：于半导体装置的第一金属化层的介电材料上方形成蚀刻掩膜，该蚀刻掩膜包括具有第一横向尺寸的掩膜开口，该第一横向尺寸对应至待形成在该介电材料中的贯孔的底部处的目标横向尺寸；基于具有该第一横向尺寸的该掩膜开口来形成贯孔开口，以便延伸至该介电材料中的第一深度；增加该掩膜开口，使得该掩膜开口具有第二横向尺寸；基于具有该第二横向尺寸的该掩膜开口而增加该贯孔开口，以便延伸至第二深度；于该介电材料中的该贯孔开口上方形成沟槽，以便连接至该贯孔开口；以及以含金属的材料共同填充该贯孔开口与该沟槽，该贯孔开口延伸至位于该第一金属化层下方的第二金属化层的金属区域。