[发明专利]包括非常锥形的转变贯孔的半导体装置的金属化系统

权利要求书

1.一种方法，包括：

于半导体装置的第一金属化层的介电材料上方形成蚀刻掩膜，该 蚀刻掩膜包括具有第一横向尺寸的掩膜开口，该第一横向尺寸对应至 待形成在该介电材料中的贯孔的底部处的目标横向尺寸；

基于具有该第一横向尺寸的该掩膜开口来形成贯孔开口，以便延 伸至该介电材料中的第一深度；

增加该掩膜开口，使得该掩膜开口具有第二横向尺寸；

基于具有该第二横向尺寸的该掩膜开口而增加该贯孔开口，以便 延伸至第二深度；

于该介电材料中的该贯孔开口上方形成沟槽，以便连接至该贯孔 开口；以及

以含金属的材料共同填充该贯孔开口与该沟槽，该贯孔开口延伸 至位于该第一金属化层下方的第二金属化层的金属区域。

2.如权利要求1所述的方法，还包括增加该掩膜开口以使得该掩 膜开口具有第三横向尺寸，并基于具有该第三横向尺寸的该掩膜开口 增加该贯孔开口以便延伸至第三深度。

3.如权利要求1所述的方法，其中，增加该掩膜开口的横向尺寸 包括提供该蚀刻掩膜做为阻剂掩膜并进行阻剂移除制程。

4.如权利要求1所述的方法，其中，形成该沟槽包括在该介电材 料与该贯孔开口上方形成至少延伸至该第二深度的沟槽蚀刻掩膜、且 进行蚀刻制程以获得该沟槽并增加该贯孔开口的深度。

5.如权利要求1所述的方法，其中，增加该贯孔开口还包括基于 该蚀刻掩膜而进行蚀刻制程并通过使用形成于该介电材料下方的蚀刻 层而控制该蚀刻制程。

6.如权利要求1所述的方法，其中，该目标横向尺寸是大约等于 或小于该金属区域的宽度。

7.如权利要求1所述的方法，其中，延伸至该第一深度的该贯孔 开口是在形成该沟槽之前形成。

8.如权利要求1所述的方法，其中，该沟槽是在形成该贯孔开口 之前形成。

9.如权利要求1所述的方法，其中，该第一深度是大约该贯孔开 口的最终深度的百分之三十。

10.如权利要求1所述的方法，其中，该目标横向尺寸是大约100 纳米或更小。

11.一种方法，包括：

于半导体装置的第一金属化层的介电材料中形成贯孔开口，该贯 孔开口延伸至第一深度且具有第一横向尺寸；

于该贯孔开口的侧壁上形成间隔物组件；以及

增加该贯孔开口的深度以便延伸至第二金属化层的金属区域，该 第二金属化层形成在该第一金属化层下方。

12.如权利要求11所述的方法，其中，形成该贯孔开口包括形成 具有掩膜开口的蚀刻掩膜，基于该蚀刻掩膜来蚀刻进入该介电材料并 移除该蚀刻掩膜。

13.如权利要求12所述的方法，其中，形成该间隔物组件包括沉 积间隔物层与蚀刻该间隔物层，以便定义该贯孔开口的底部的目标宽 度。

14.如权利要求13所述的方法，还包括在沉积该间隔物层之前形 成蚀刻停止层。

15.如权利要求11所述的方法，其中，增加该贯孔开口的深度包 括以相似移除速率来移除该间隔物组件的材料与该介电材料。

16.如权利要求11所述的方法，还包括于该贯孔开口上方的该介 电材料中形成沟槽，其中，该贯孔开口连接至该沟槽。

17.如权利要求16所述的方法，其中，于形成该沟槽的同时增加 该贯孔开口的深度。