[发明专利]制备纳米结构化表面的方法有效
| 申请号： | 200980157342.1 | 申请日： | 2009-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102325718A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 莫塞斯·M·大卫;余大华 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张爽;樊卫民 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备纳米结构化表面的连续方法，包括：(a)在真空容器中，将包括纳米级掩模的基底放置在圆柱形电极上；(b)在预定的压力下向所述容器中引入蚀刻气体；(c)在所述圆柱形电极和反电极之间产生等离子体；(d)旋转所述圆柱形电极，从而平移所述基底；以及(e)各向异性地蚀刻所述基底的表面，以在所述表面上提供各向异性纳米级特征。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 纳米 结构 表面 方法 | ||
【主权项】：
一种制备纳米结构化表面的连续方法，所述方法包括：(a)在真空容器中，将包括纳米级掩模的基底放置在圆柱形电极上，(b)在预定的压力下向所述容器中引入蚀刻气体，(c)在所述圆柱形电极和反电极之间产生等离子体，(d)旋转所述圆柱形电极，从而平移所述基底，以及(e)各向异性地蚀刻所述基底的表面，以在所述表面上提供各向异性纳米级特征。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于3M创新有限公司，未经3M创新有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980157342.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
