[发明专利]制备纳米结构化表面的方法

权利要求书

1.一种制备纳米结构化表面的连续方法，所述方法包括：

(a)在真空容器中，将包括纳米级掩模的基底放置在圆柱形电极上，

(b)在预定的压力下向所述容器中引入蚀刻气体，

(c)在所述圆柱形电极和反电极之间产生等离子体，

(d)旋转所述圆柱形电极，从而平移所述基底，以及

(e)各向异性地蚀刻所述基底的表面，以在所述表面上提供各向异性纳米级特征。

2.根据权利要求1所述的方法，其中使用射频电源产生所述等离子体。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述射频电源的功率密度在约0.1和约1.0瓦特/cm³之间。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述射频电源的功率密度在约0.2和约0.3瓦特/cm³之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述气体包括含氟气体。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述气体包括全氟乙烷。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底包括柔性幅材。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述柔性幅材包含聚合物。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底包括微结构化表面。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述纳米级掩模包含分散在所述基底中的纳米粒子、纳米管或纳米纤维。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述纳米级掩模包含在所述基底表面上取向的纳米粒子、纳米管或纳米纤维。

12.根据权利要求10或权利要求11所述的方法，其中所述纳米级掩模包含纳米粒子。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述纳米粒子包括：SiO₂、ZrO₂、TiO₂、ZnO、铟锡氧化物、锑锡氧化物、聚(四氟乙烯)或碳。

14.根据权利要求12所述的方法，其中所述纳米粒子是经表面改性的。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定压力在约1毫托和约20毫托之间。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述预定压力在约5毫托和约10毫托之间。

17.根据权利要求1所述的方法，其中所述反电极包括所述真空容器。

18.根据权利要求1所述的方法，其中所述各向异性纳米级特征的高宽比为约5∶1或更大。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述各向异性纳米级特征的高宽比为约10∶1或更大。

20.根据权利要求1所述的方法，其中所述各向异性纳米级特征包括纳米柱。

21.根据权利要求1所述的方法，其中所述基底被蚀刻到至少约100nm的深度。

22.一种制备纳米结构化表面的连续方法，所述方法包括：

(a)在真空容器中，将包含纳米级分散相的基底放置在圆柱形电极上，

(b)在预定的压力下向所述容器中引入蚀刻气体，

(c)在所述圆柱形电极和反电极之间产生等离子体，

(d)旋转所述圆柱形电极，从而平移所述基底，以及

(e)各向异性地蚀刻所述分散相，以在所述表面上提供各向异性纳米级特征。