[发明专利]具有非平面浮动栅极的存储器晶体管及其制造方法无效
申请号: | 200980154612.3 | 申请日: | 2009-12-16 |
公开(公告)号: | CN102282651A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | H·朱;D·陈 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L29/423 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 于静;杨晓光 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种闪速存储器器件,包含:晶片;栅极氧化物层(140),被设置在所述晶片上;浮动栅极,被配置在所述栅极氧化物层、所述晶片或其组合上;所述浮动栅极包含平坦的浮动栅极部分(200)和通常矩形的浮动栅极部分(210),所述通常矩形的浮动栅极部分被设置在所述平坦的浮动栅极部分的经选择的区域上;高K介电材料(120),被设置在所述浮动栅极上;以及控制栅极(110),被设置在所述高K介电材料上;其中所述高K介电材料形成使所述浮动栅极与所述控制栅极耦合的锯齿状图形。 | ||
搜索关键词: | 具有 平面 浮动 栅极 存储器 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种闪速存储器器件,包含:晶片;栅极氧化物层,被设置在所述晶片上;浮动栅极,被配置在所述栅极氧化物层、所述晶片或其组合上;所述浮动栅极包含平坦的浮动栅极部分和通常矩形的浮动栅极部分,所述通常矩形的浮动栅极部分被设置在所述平坦的浮动栅极部分的经选择的区域上;高K介电材料,被设置在所述浮动栅极上;以及控制栅极,被设置在所述高K介电材料上;其中所述高K介电材料形成使所述浮动栅极与所述控制栅极耦合的锯齿状图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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