[发明专利]用于半导体应用的热喷涂层无效
| 申请号： | 200980154230.0 | 申请日： | 2009-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102272344A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | G·迪金森;J·西尔曼;A·阿沙里;C·佩托拉克;N·J·麦迪尔 | 申请（专利权）人： | 普莱克斯技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C4/08 | 分类号： | C23C4/08;C23C4/10;C23C4/12;C23C24/08;C23C14/56;C23C16/44;C23C4/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李进;艾尼瓦尔 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及金属或非金属基材上的热喷涂层。所述热喷涂层包含部分或完全稳定化的陶瓷涂层，例如，氧化钇稳定化的氧化锆涂层，并且具有足够高热力学相稳定性，以对所述基材提供耐腐蚀性和/或耐侵蚀性。本发明还涉及通过施加所述热喷涂层保护金属和非金属基材的方法。所述涂层用于例如保护集成电路制造设备、内室元件和静电夹盘制造。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 应用 喷涂 | ||
【主权项】：
一种金属或非金属基材上的热喷涂层，所述热喷涂层包含部分或完全稳定化的陶瓷涂层，其中所述部分或完全稳定化的陶瓷涂层具有足够高热力学相稳定性，以对所述基材提供耐腐蚀性和/或耐侵蚀性，其中所述部分或完全稳定化的陶瓷涂层具有在暴露于标准基于CF4/O2的等离子体干燥清洁条件100小时后约0至约40微米的涂层侵蚀率。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C4-00 熔融态覆层材料喷镀法，例如火焰喷镀法、等离子喷镀法或放电喷镀法的镀覆
C23C4-02 .待镀材料的预处理，例如为了在选定的表面区域镀覆
C23C4-04 .以镀覆材料为特征的
C23C4-12 .以喷镀方法为特征的
C23C4-18 .后处理
C23C4-14 ..用于长形材料的镀覆
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