[发明专利]用于半导体应用的热喷涂层

权利要求书

1.一种金属或非金属基材上的热喷涂层，所述热喷涂层包含部分或完全稳定化的陶瓷涂层，其中所述部分或完全稳定化的陶瓷涂层具有足够高热力学相稳定性，以对所述基材提供耐腐蚀性和/或耐侵蚀性，其中所述部分或完全稳定化的陶瓷涂层具有在暴露于标准基于CF₄/O₂的等离子体干燥清洁条件100小时后约0至约40微米的涂层侵蚀率。

2.权利要求1的热喷涂层，其中所述部分或完全稳定化的陶瓷涂层具有在暴露于标准基于CF₄/O₂的等离子体干燥清洁条件100小时后约0至约20微米的涂层侵蚀率。

3.权利要求1的热喷涂层，其中与通过相应不稳定化陶瓷涂层对所述基材提供的耐腐蚀性和/或耐侵蚀性比较，所述部分或完全稳定化的陶瓷涂层对所述基材提供约25％或更大的耐腐蚀性和/或耐侵蚀性。

4.权利要求1的热喷涂层，所述热喷涂层包括氧化锆、氧化钇、氧化镁、氧化铈、氧化铝、氧化铪、元素周期表包含的2A至8B族和镧系元素的氧化物或其合金或混合物或复合物。

5.权利要求1的热喷涂层，所述热喷涂层包括氧化锆、氧化铝、氧化钇、氧化铈、氧化铪、氧化钆、氧化镱或其合金或混合物或复合物。

6.权利要求1的热喷涂层，所述热喷涂层包括碳化硅或碳化硼。

7.权利要求1的热喷涂层，其中在施加所述热喷涂层之前使所述基材阳极化。

8.权利要求1的热喷涂层，其中所述基材由铝或其合金或熔结的氧化铝构成。

9.权利要求1的热喷涂层，其中所述基材包括等离子体处理容器的内部元件。

10.权利要求9的热喷涂层，其中所述内部元件选自沉积罩、挡板、聚焦环、绝缘环、屏蔽环、波纹管盖、电极、室衬垫、阴极衬垫、气体分布板和静电夹盘。

11.权利要求9的热喷涂层，其中所述等离子体处理容器用于制造集成电路元件。

12.权利要求1的热喷涂层，所述热喷涂层通过等离子体涂覆方法、高速氧燃料涂覆方法、爆轰涂覆方法或冷喷涂方法施加。

13.权利要求1的热喷涂层，所述热喷涂层包括选自氧化锆、部分稳定化氧化锆和完全稳定化氧化锆的基于氧化锆的涂层。

14.权利要求1的热喷涂层，所述热喷涂层包括氧化钇或氧化镱稳定化的氧化锆。

15.权利要求1的热喷涂层，所述热喷涂层包含约10至约31％重量氧化钇和其余为氧化锆。

16.权利要求1的热喷涂层，所述热喷涂层包含约15至约20％重量氧化钇和其余为氧化锆。

17.权利要求1的热喷涂层，所述热喷涂层包括密度为理论密度的约60％至约85％的基于氧化锆的涂层。

18.权利要求1的热喷涂层，所述热喷涂层包括具有约0.1％至约12％的孔隙率的基于氧化锆的涂层。

19.权利要求1的热喷涂层，其中所述等离子体喷涂选自在室中惰性气体遮蔽等离子体喷涂和低压或真空等离子体喷涂。

20.权利要求1的热喷涂层，所述热喷涂层从具有小于约50微米的平均附聚粒径的粉末被热喷涂。

21.权利要求1的热喷涂层，所述热喷涂层包括氧化锆和氧化钇。

22.一种用权利要求1的热喷涂层涂覆的金属或非金属基材。

23.一种保护金属或非金属基材的方法，所述方法包括将热喷涂层施加到所述金属或非金属基材，所述热喷涂层包含部分或完全稳定化的陶瓷涂层，其中所述部分或完全稳定化的陶瓷涂层具有足够高热力学相稳定性，以对所述基材提供耐腐蚀性和/或耐侵蚀性，其中所述部分或完全稳定化的陶瓷涂层具有在暴露于标准基于CF₄/O₂的等离子体干燥清洁条件100小时后约0至约40微米的涂层侵蚀率。