[发明专利]形成倒装芯片互连的原位熔化和回流处理及其系统有效
| 申请号: | 200980153949.2 | 申请日: | 2009-11-09 |
| 公开(公告)号: | CN102272907A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
| 发明(设计)人: | 周辉星;王志坚;林建福;阿穆兰·赛恩;林少雄 | 申请(专利权)人: | 豪锐恩科技私人有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/68;H01L21/98;B23K1/19;H01L21/683;B23K101/40 |
| 代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
| 地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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| 摘要: | 一种用于制造倒装芯片半导体封装的方法,该方法包括处理半导体器件(例如半导体芯片)以及处理器件载体(例如衬底)。半导体器件包括在其表面上形成的凸块结构。衬底包括在其表面上形成的焊接焊盘。半导体芯片被加热至芯片处理温度。芯片处理温度使凸块结构上的焊料部分熔化。衬底被加热至衬底处理温度,其中,所述衬底处理温度可以不同于芯片处理温度。半导体芯片在空间上关于衬底进行对准,从而相应地使凸块结构关于焊接焊盘进行对准。半导体芯片朝向衬底移动,从而使凸块结构邻接焊接焊盘,从而在它们之间形成焊接。还公开了执行上述方法的系统。 | ||
| 搜索关键词: | 形成 倒装 芯片 互连 原位 熔化 回流 处理 及其 系统 | ||
【主权项】:
一种用于器件封装的方法,包括:将半导体器件加热至第一温度,所述半导体器件包括多个凸块结构,所述多个凸块结构的每一个都包括焊料部分,所述第一温度至少是所述多个凸块结构的每一个的所述焊料部分的熔化温度,从而使所述焊料部分达到熔融状态;将衬底加热至第二温度,所述衬底包括多个接触焊盘;以及在空间上使所述多个凸块结构与所述多个接触焊盘对准,其中,在将所述半导体器件加热至所述第一温度期间,所述半导体器件被设置为距所述衬底一定距离,在加热所述半导体器件之后,所述半导体器件和所述衬底中的至少一个向另一个位移,从而使所述多个凸块结构的每一个均与所述多个接触焊盘中相应的一个接触焊盘相邻接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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