[发明专利]形成倒装芯片互连的原位熔化和回流处理及其系统

权利要求书

1.一种用于器件封装的方法，包括：

将半导体器件加热至第一温度，所述半导体器件包括多个凸块结构，所述多个凸块结构的每一个都包括焊料部分，所述第一温度至少是所述多个凸块结构的每一个的所述焊料部分的熔化温度，从而使所述焊料部分达到熔融状态；

将衬底加热至第二温度，所述衬底包括多个接触焊盘；以及

在空间上使所述多个凸块结构与所述多个接触焊盘对准，

其中，在将所述半导体器件加热至所述第一温度期间，所述半导体器件被设置为距所述衬底一定距离，在加热所述半导体器件之后，所述半导体器件和所述衬底中的至少一个向另一个位移，从而使所述多个凸块结构的每一个均与所述多个接触焊盘中相应的一个接触焊盘相邻接。

2.如权利要求1所述的方法，其中加热所述衬底的步骤包括：

将所述衬底加热至第二温度，所述第二温度低于所述第一温度。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述第二温度低于所述多个凸块结构的每一个的所述焊料部分的所述熔化温度。

4.如权利要求2所述的方法，进一步包括：

使所述半导体器件和所述衬底中的至少一个向另一个位移，从而使所述多个凸块结构的每一个均与所述多个接触焊盘中相应的一个接触焊盘相邻接，由此获得半导体器件封装。

5.如权利要求4所述的方法，其中将所述半导体器件加热至所述第一温度的步骤包括：

将所述半导体器件加热至第三温度，所述第三温度低于所述多个凸块结构的每一个的所述焊料部分的所述熔化温度；以及

利用夹持器工具夹持所述半导体器件，所述夹持器工具用于将所述半导体器件加热至所述第一温度。

6.如权利要求5所述的方法，其中将所述半导体器件加热至第三温度的步骤包括：

使所述半导体器件位移越过多个加热元件，所述加热元件被操作，以产生跨过所述加热元件的热量曲线，所述热量曲线被控制，以将所述半导体器件逐渐加热至所述第三温度。

7.如权利要求6所述的方法，其中将所述半导体器件加热至第三温度的步骤进一步包括：

将所述半导体器件设置在板上，所述板能够移动，从而使所述半导体器件位移越过所述多个加热元件。

8.如权利要求7所述的方法，其中将所述半导体器件加热至第三温度的步骤进一步包括：

以旋转方式或线性方式中的一种使所述半导体器件位移，从而以所需的方向将所述半导体器件设置在所述板上；以及

参照由所述板限定的基准确定所述半导体器件的高度。

9.如权利要求4所述的方法，其中将所述衬底加热至第二温度的步骤包括：

将所述衬底设置在第一支架上，所述第一支架用于将所述衬底加热至第四温度，所述第四温度低于所述第二温度；以及

在所述衬底达到所述第四温度后将所述衬底设置在第二支架上，所述第二支架用于将所述衬底加热至所述第二温度。

10.如权利要求9所述的方法，进一步包括：

当所述衬底被设置在所述第一支架上时，将熔剂沉积在所述多个接触焊盘上，所述第二温度低于所述熔剂的活化温度。

11.如权利要求9所述的方法，进一步包括：

当所述衬底被设置在所述第一支架上时，将至少一种底部填充材料沉积在所述多个接触焊盘上，所述第二温度低于所述底部填充材料的固化温度。

12.如权利要求9所述的方法，进一步包括：

在将所述衬底加热至所述第二温度后，参照由所述第二支架限定的基准确定器件载体的高度。

13.如权利要求4所述的方法，其中在空间上使所述多个凸块结构与所述多个接触焊盘对准的步骤包括：

限定所述半导体器件上的第一坐标系以及与所述多个凸块结构相交且在设置上相对应的多个基准轴线；

限定所述衬底上的第二坐标系以及与所述衬底的所述多个接触焊盘重叠且在设置上相对应的多个基准顶点；以及

将所述第一坐标系对准所述第二坐标系，以使得所述多个基准轴线中的每一个与所述多个基准顶点中相应的一个基准顶点基本重叠，从而在空间上使所述多个凸块结构与所述多个接触焊盘对准。