[发明专利]多行引线框架的结构及其半导体封装及制造方法无效
| 申请号： | 200980152298.5 | 申请日： | 2009-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102265394A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 千贤雅;崔宰凤;李诚远;柳盛旭;李赫洙;严塞兰 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 林锦辉;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于半导体封装的多行引线框架，其特征在于：在引线框架材料上形成电镀图形(第一步)；在该电镀图形上形成保护图形(第二步)；以及利用该保护图形作为掩模形成纳米图形(第三步)，由此在电镀图形顶面上形成保护图形，以防止引线框架图形形成过程中刻蚀溶液对电镀层造成损害从而提高产品可靠性，并由此解决了利用电镀层作为刻蚀掩模的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 引线 框架 结构 及其 半导体 封装 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多行引线框架制造方法，其特征在于：在引线框架材料上形成电镀图形(第一步)；在该电镀图形上形成保护图形(第二步)；以及利用该保护图形作为掩模形成纳米图形(第三步)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司，未经LG伊诺特有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980152298.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
