[发明专利]多行引线框架的结构及其半导体封装及制造方法

权利要求书

1.一种多行引线框架制造方法，其特征在于：

在引线框架材料上形成电镀图形(第一步)；在该电镀图形上形成保护图形(第二步)；以及利用该保护图形作为掩模形成纳米图形(第三步)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述在引线框架材料上形成电镀图形的第一步，其特征在于：在该引线框架材料的双面或单面上涂覆光敏材料，曝光并显影以形成引线框架图形(a步骤)；以及在该引线框架图形上实施电镀(b步骤)。

3.根据权利要求1所述的方法，所述第一步中形成电镀图形的工序所采用的材料是使用镍、钯、金、锡、银、钴和铜中的一种的单合金或者双合金或三合金，并且是单层或双层的。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一步的特征还在于：在形成电镀图形之后剥离光敏材料的(c)步骤。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二步的特征在于：通过在形成有电镀图形的引线框架材料的双面或单面上涂覆光敏材料而利用光刻方法。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第二步的特征在于：在引线框架材料的双面上涂覆光敏材料，其中在所述引线框架材料顶面上对图形进行曝光/显影，以形成上部保护图形，在引线框架材料的底面进行整体曝光，以形成下部保护图形。

7.根据权利要求1或6所述的方法，其中在引线框架材料顶面上形成的上部保护图形的宽度T1比电镀图形的宽度T2宽。

8.根据权利要求7所述的方法，其中该保护图形形成为包围所述电镀图形的顶部和侧部的结构。

9.根据权利要求1或6所述的方法，其中所述第三步的特征在于：刻蚀引线框架除上部保护图形部分之外的已曝光顶面。

10.根据权利要求8所述的方法，其中在所述第三步之后还包括剥离保护图形的步骤。

11.一种利用多行引线框架制造半导体封装的方法，其特征在于：在引线框架材料上形成电镀图形(第一步)；在电镀图形上形成保护图形(第二步)；利用该保护图形作为掩模形成纳米图形(第三步)；以及剥离该保护图形，和实施半导体芯片安放、引线接合和环氧树脂模制，并且通过背面刻蚀完成半导体封装。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二步的特征在于：在引线框架材料顶面上形成的上部保护图形的宽度T1比所述电镀图形的宽度T2宽。

13.一种引线框架制造方法中的多行引线框架的结构，其特征在于：在引线框架材料的顶面或底面上形成至少一个或多个纳米图形；以及在未形成有纳米图形的一个或多个部分上形成包括电镀图形的引线框架，其中该引线框架的上部图形表面的宽度T3比所述电镀图形的宽度T2宽。

14.根据权利要求13所述的结构，其特征在于：该引线框架片料的边缘形成有暴露结构。

15.一种引线框架制造方法中的多行引线框架结构，其特征在于：在引线框架材料的顶面或底面上形成至少一个或多个纳米结构；以及在未形成有纳米图形的一个或多个部分上形成包含电镀图形的引线框架，其中该引线框架的边缘被露出。

16.根据权利要求13、14和15中任一项所述的结构，其特征在于：该电镀图形采用镍、钯、金、锡、银、钴和铜中的一种的单合金或者双合金或三合金，并且是单层或双层的。

17.一种半导体封装，其特征在于：在引线框架材料的顶面或底面上形成至少一个或多个纳米图形；以及在未形成有纳米图形的一个或多个部分上形成包含电镀图形的引线框架，其中该半导体封装的特征在于：多行引线框架，该引线框架的所述上部图形表面的宽度(T3)比所述电镀图形的宽度(T2)宽；半导体芯片；引线接合；以及环氧树脂模制。

18.一种半导体封装，其特征在于：在引线框架材料的顶面或底面上形成至少一个或多个纳米图形；以及在未形成有纳米图形的一个或多个部分上形成包含电镀图形的引线框架，其中该引线框架的边缘的特征在于：被露出的多行引线框架；半导体芯片；引线接合；以及环氧树脂模制。