[发明专利]光伏器件的薄吸收层无效
| 申请号： | 200980151499.3 | 申请日： | 2009-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN102257635A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 伊西克·C·奇吉尔亚里;美利莎·艾契尔;哈利·艾华特;汤玛士·J·吉密特;何甘;安德瑞斯·海吉杜斯;雷格·东克 | 申请（专利权）人： | 奥塔装置公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 周靖;郑霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了用于以与常规太阳能电池相比时增大的效率将电磁辐射(例如太阳能)转化为电能的方法及装置。在光伏(PV)器件的一个实施方式中，PV器件大致上包括n型掺杂层及p+型掺杂层，p+型掺杂层邻近所述n型掺杂层以形成p-n层，使得当电磁辐射被p-n层吸收时产生电能。n型掺杂层和p+型掺杂层可以构成吸收层，并且吸收层的厚度小于500nm。与常规太阳能电池相比，这样的薄吸收层可以允许PV器件具有更大的效率和及可挠性。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 吸收 | ||
【主权项】：
一种光伏(PV)器件，包括：n型掺杂层；以及p+型掺杂层，其邻近所述n型掺杂层以形成p‑n层，使得当电磁辐射被所述p‑n层吸收时产生电能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
